به گزارش سافتگذر به نقل از جام نیوز، در این روش جدید نوعی آلیاژ خاص متشکل از ژرمانیوم،
آنتی موان و تلاریوم که در ساخت حافظه های تغییر فاز کاربرد دارد، با
الماس جایگزین می شود.
حافظه هایی که به این روش ساخته می شوند 100
برابر سریع تر از حافظه های فلش هستند و تا 100 هزار بار امکان بازنویسی
اطلاعات را فراهم می کنند.
در حال حاضر سایر شرکت های سخت افزاری،
این فناوری را برای تولید تراشه هایی با قابلیت 5 میلیون بازنویسی مورد
استفاده قرار می دهند.
انتظار می رود تا پنج سال آینده تمام هارد
دیسک ها با استفاده از این فناوری تولید شوند و بدین ترتیب فضایی صدها
برابر فضای کنونی را برای ذخیره اطلاعات با هزاران برابر سرعت فعلی آن
فراهم کنند.