به نظر میرسد سازندگان تراشههای حافظه جنگی تمامعیار با یکدیگر راه انداختهاند و سامسونگ با افزایش تولید تراشههای V-NAND خود، نمیخواهد در این جنگ بازنده باشد.
سامسونگ که یکی از رهبران جهانی تکنولوژی تراشههای حافظه در سراسر دنیا است، امروز اعلام کرد که تولید تراشههای حافظه ۶۴ لایه V-NAND با ظرفیت ۲۵۶ گیگابایت را برای استفاده در سرور، موبایل و پیسی آغاز کرده است. سامسونگ برای اینکه بتواند مزیت رقابتی خود را حفظ کند، قصد دارد تولید این حافظهها را تا پایان سال بهگونهای افزایش دهد که ۵۰ درصد از حافظههای NAND تولیدی این شرکت، تراشه ۶۴ لایه V-NAND باشد.
کای هیون کیونگ، مدیر ارشد بخش حافظه سامسونگ، میگوید:
در ادامه تعهد ما به تکنولوژی خلاقانه، ما مرزهای تولید V-NAND را جابهجا میکنیم و صنعت را به عصر V-NAND ترابایتی نزدیک میکنیم. ما به توسعه نسل بعدی V-NAND ادامه میدهیم.
تراشههای حافظه ۶۴ لایه V-NAND با ظرفیت ۲۵۶ گیگابایت سامسونگ، نرخ انتقال داده یک گیگابیت بر ثانیه دارند که در حال حاضر بیشترین نرخ انتقال داده در بین حافظههای NAND است. با توجه به عرضه فراوان حافظههای V-NAND، سامسونگ انتظار دارد صنعت بهجای تمرکز بر افزایش تولید، بر عملکرد و اتکاپذیری تمرکز کند.
تراشههای ۶۴ لایه V-NAND با ظرفیت ۲۵۶ گیگابایت، ۳۰ درصد بازدهی بهتری نسبت به تراشههای ۴۸ لایه V-NAND با ظرفیت ۲۵۶ گیگابایت دارند. بعلاوه، تراشههای ۶۴ لایه V-NAND تنها به ۲.۵ ولت انرژی نیاز دارند که در مقایسه با ۳.۳ ولت تراشههای ۴۸ لایه V-NAND، شاهد بهبود مصرف انرژی ۳۰ درصدی هستیم. در کل میتوان گفت تراشههای جدید V-NAND حدود ۲۰ درصد اتکاپذیری بهتری نسبت به نسل قبل دارند.
سامسونگ حدود ۱۵ سال سابقه تحقیق در زمینه ساختارهای سهبعدی V-NAND دارد و تا به حال موفق شده است ۵۰۰ پتنت در این زمینه به ثبت برساند. سامسونگ توانسته است به تکنولوژی بنیادین تولید V-NAND ترابایتی با بیش از ۹۰ لایه دست یابد.