سامسونگ پس از شکست دادن دو شرکت Hynix و Micron، عنوان اولین تولیدکنندهی انبوه تراشهی حافظهی GDDR6 را به خود اختصاص داد.
سامسونگ در تولید تراشهی حافظهی GDDR6، گوی سبقت را از دو شرکت هاینیکس و میکرون ربوده و عنوان اولین تولیدکنندهی انبوه این نوع تراشه را به خود اختصاص داده است. تراشههای ۱۶ گیگابیتی (۲ گیگابایت) سامسونگ بر پایهی معماری ۱۰ نانومتری ساخته شدهاند و در ۱.۳۵ ولت کار میکنند. تراشههای جدید دارای سرعت ۱۸ گیگابیت بر ثانیه در هر پین هستند و سرعت انتقال آنها به ۷۲ گیگابایت بر ثانیه خواهد رسید. تراشههای کنونی GDDR5 سامسونگ با سرعت ۸ گیگابیت (۱ گیگابایت)، علاوه بر داشتن نصف ظرفیت چیپهای جدید، در ۱.۵۵ ولت و با سرعت پایینتر ۹ گیگابیت بر ثانیه در هر پین کار میکنند. سامسونگ تلویحا در یک کنفرانس خبری قبل از برگزاری نمایشگاه CES 2018 به سرعت و قابلیت این نوع از تراشهها اشاره کرده بود. با این حال سرعت این تراشهها بهطور قابل توجهی سریعتر از گفتههای پیشین سامسونگ مبنی بر سرعت ۱۶ گیگابیت بر ثانیه در هر پین و سرعت انتقال ۶۴ گیگابایت بر ثانیه است.
با توجه به رقابتی که بین سامسونگ با هاینیکس و میکرون وجود دارد، شرکت هاینیکس دستبهکار شد و حدود ۶ ماه پیش جزئیات تراشهی جدید GDDR6 خود را منتشر کرد؛ در همین حال شرکت Micron اعلام کرده است تراشههای این شرکت اوایل سال جاری به تولید انبوه خواهند رسید. در جزئیاتی که پیشتر توسط هاینیکس اعلام شد، اولین تراشهی GDDR6 این شرکت یک تراشهی ۸ گیگابیتی با سرعت ۱۶ گیگابیت بر ثانیه در هر پین خواهد بود که در ۱.۳۵ ولت کار میکند و برنامهی هاینیکس برای عرضهی تراشهی ۱۶ گیگابیتی بعد از عرضهی نمونهی ۸ گیگابیتی آن خواهد بود. در آن سو میکرون هرگز دربارهی یک تراشهی خاص جزئیاتی منتشر نکرده است؛ اما پیشبینی کرده که تراشههای GDDR6 این شرکت، با سرعت ۱۲ گیگابیت بر ثانیه شروع شود (سرعتی معادل تراشههای کنونی GDDR5X میکرون) و در نهایت به عرضهی تراشه با سرعت ۱۶ گیگابیت بر ثانیه برسند.
بهمنظور اطمینان بیشتر از تراشهی جدید سامسونگ در رسیدن به سرعتهای ادعاشده و شکست رقبا، مجبور هستیم تا زمان استفادهی این نوع از تراشه روی کارتهای گرافیک منتظر بمانیم.