بازار
محصولات حافظه احتمالا در ميان قابل پيشبينيترين موارد در صنعت فناوري
قرار دارد. توليدكنندگان حافظه DRAM (dynamic random access memory) واقعا
عاشق استانداردسازي هستند زيرا به آنها امكان ميدهد روي توليد كارامد
تمركز داشته باشند، نه تضمين اين مساله كه محصولات آنها عملا با كنترلرهاي
معيني كار ميكنند. توليدكنندگان ابزارها نيز اين وضعيت را ميپسندند،
زيرا منابع فراواني را براي تأمين DRAM در اختيار دارند. اين وضعيتي است كه
حتي در سال 2020 نيز تغيير نخواهد كرد.
همانطور
كه ميدانيم، توليدكنندگان پيشتاز DRAM توليد تجاري نسل بعدي حافظه DDR4
را در سال 2012 آغاز خواهند كرد. انتقال واقعي توده كاربران به حافظه جديد
احتمالا در حدود سال 2015 ميلادي اتفاق خواهد افتاد، يعني در سال 2020 بايد
منتظر خيزش حافظه DDR5 باشيم. سرعتهاي كلاك 2133 تا 4266 مگاهرتزي حافظه
DDR4 باعث تغيير توپولوژي زيرسيستم حافظه به يك اتصال نقطه به نقطه ميشود.
در نتيجه، توليدكنندگان DRAM بايد ظرفيت تراشههاي حافظه را با استفاده از
تكنيك چند لايه با فناوري TSV (through silicon via) افزايش دهند.
سوپركامپيوتر Jaguar
توپولوژي
نقطه به نقطه حافظه DDR4 تا حدودي بحثانگيز است، اما توليدكنندگان
معتقدند كه استفاده از آن اجتنابناپذير خواهد بود. با در نظر گرفتن اين
واقعيت كه JEDEC (سازماني كه حافظه و بعضي فناوريهاي ديگر را
استانداردسازي ميكند) به ندرت تغييرات عمدهاي را در استانداردها ايجاد
ميكند، احتمال زيادي وجود خواهد داشت كه توپولوژي نقطه به نقطه در
حافظههاي DDR5 نيز مورد استفاده قرار گيرد. طبيعتا ميتوانيم انتظار داشته
باشيم كه DDR5 با سرعتهاي كلاك موثر 4,2 تا 8,4 گيگاهرتزي و همچنين شكل
ساخت كوچكتري براي تراشهها و ماژولها عرضه خواهد شد.
چيزي
كه ما وقوع آن را پيشبيني نميكنيم، ظهور يك استاندارد انحصاري است كه
عملا شرايط كلي بازار را تغيير دهد. در يك دهه گذشته شاهد تلاشهايي براي
ارايه فناوريهاي انحصاري حافظه به بازار بوديم، اما صرفنظر از اينكه با
تراشههاي حافظه كاملا متفاوتي (XDR) سر و كار داشتند و يا تنها تغييرات
سادهاي روي سكوها بودند (QBM)، همگي با شكست مواجه شدند.
فناوريهايي
وجود دارند كه بهطور بالقوه ميتوانند مزاياي حافظه Flash و DRAM را
تركيب كنند. پيشبيني ما اين است كه تعداد از اين فناوريها در طول ده سال
آينده به بازار تجاري راه پيدا خواهند كرد، اما به سختي ميتوانيم باور
كنيم كه آنها عملا جايگزين DRAM و NAND Flash شوند.