شرکت کرهای SK Hynix
سازنده چیپهای الکترونیکی اعلام کرد که موفق به ساخت پیشرفتهترین ماژول
حافظه DDR4 با اندازه ۱۲۸ گیگابایت شده است.
به گزارش سافتگذر به نقل از فارنت؛ ماژول حافظه جدید DDR4 برپایه فناوری موسوم به TSV ساخته شده و
به طور موثر و قابل توجهی باعث افزایش سرعت و کارآیی خواهد شد. فناوری TSV
به حافظه DRAM اجازه اتصال با راندمان الکتریکی بالاتری را میدهد
بنابر اعلام شرکت سازنده، حافظه ۱۲۸ گیگابایتی DDR4 توان
رسیدن به سرعت ۲۱۳۳ مگابایت در ثانیه را دارد که در مقایسه با سرعت ۱۳۳۳
مگابایت در ثانیه حافظههای DDR3 افزایش قابل توجهی را نشان میدهد. در عین
حال حافظههای جدید DDR4 انرژی مصرفی پائینتری دارند و با انرژی ۱٫۲ ولت
کار میکنند در حالی که حافظههای DDR3 با انرژی ۱٫۳۵ ولت کار میکنند.
انتظار میرود تولید انبوه حافظههای ۱۲۸ گیگابایتی DDR4 از نیمه اول سال ۲۰۱۵ یعنی تقریبا یک سال دیگر اغاز شود.