پرچمدار جدید کمپانی اچتیسی در
جریان کنگره جهانی موبایل 2015 بارسلون رونمایی شد و بر خلاف انتظار
خیلی‌ها گوشی وان ام 9 را یک ارتقای نا امیدکننده می‌دانند. اما مشکلات
سخت‌افزاری و نرم‌افزاری که اخیرا از این گوشی منتشر شده سبب شده است تا
وان ام 9 اچتیسی در بین بهترین دستگاه‌های سال 2015 جایگاه متزلزلی داشته
باشد. با زومیت همراه باشید.
به گزارش سافت گذر به نقل اززومیت؛ در همان ابتدا بعد از معرفی این دستگاه برخی از کارشناسان معتقد بودند
پرچمدار جدید این کمپانی تایوانی در بنچمارک‌های مختلف با مشکل داغ شدن بیش
از روبرو شده است. البته خیلی‌ها این موضوع را در بنچمارک‌ها طبیعی قلمداد
می‌کردند و منتظر بودن این مشکل در آینده بر طرف شود.
اما اکنون یک وبسایت هلندی مشکل داغ شدن زیاد گوشی One M9 اچتیسی را
در برابر دیگر رقبای سرسخت خود بررسی کرده است و نشان می‌دهد این موضوع
می‌تواند دردسرساز شود.
در بررسی وبسایت هلندی Tweakers از بنچمارک GFXBench استفاده شده است
که نشان می‌دهد دمای گوشی وان ام 9 حتی از 55 درجه سانتیگراد نیز عبور
می‌کند. این میزان حرارت با توجه به اینکه می‌دانیم دمای متوسط گوشی‌های
هوشمند رده بالا بین 30 تا 40 درجه است، می‌تواند خیلی زیاد و مشکل‌ساز
باشد.
تستی که توسط بنچمارک GFXBench انجام شده است، بیش از آنچه برای اجرای
بازیهای سه‌بعدی موبایل نیاز است به دستگاه فشار می‌آورد تا بتواند عملکرد
آنها را بسنجد. در تستی که از بازی Assassin's Creed: Pirates و آسفالت 8
کمک گرفته شده است، دمای پرچمدار اچتیسی عدد 42 درجه سانتیگراد را نشان
می‌دهد در حالی که دمای آیفون 6 اپل و گلکسی نوت 4 سامسونگ روی 36 درجه سانتیگراد است و این اختلاف خیلی زیاد نیست.
این مشکل نه تنها در رقبا بلکه در گوشی وان ام 8 اچتیسی نیز دیده
نشده بود ولی تقریبا خیلی از افراد اتفاق نظر دارند که منشا اصلی این مشکل
پردازنده اسنپدراگون 810 کوالکام است. جالب است بدانید وبسایت کره‌ای
Business Korea نیز گزارش کرده است که دستگا‌های مجهز به پردازنده‌های
قدرتمند 4 هسته‌ای Cortex A53 با فرکانس کاری 1.5 گیگاهرتز و Cortex A57 با
فرکانس کاری 2 گیگاهرتز نیز با مشکل داغ شدن بیش از حد دست و پنجه نرم
می‌کنند. شاید به همین دلیل سامسونگ قید استفاده از پردازنده کوالکام را در
پرچمداران جدید خود زد.
این وبسایت اعلام کرده است:
کوالکام باید مشکل سختی را برطرف کند. پردازنده اسنپ دراگون 810
وقتی به ولتاژ مشخصی می‌رسد به شدت داغ می‌کند. همچنین در کنترلر رم که به
AP متصل شده نیز مشکلاتی دیده شده است. علاوه بر این پردازنده گرافیکی
Adreno 430 نیز خطایی را از خود نشان داده است.
البته هنوز به شکل رسمی اشاره نشده است که آیا واقعا این مشکل از
پردازنده اسنپدراگون 810 نشات می‌گیرد یا خیر ولی چیزی که کاملا مشخص است
گرم شدن بیش از حد دستگاه هنگام بارگذاری‌های سنگین حتی باعث می‌شود
نتوانید گوشی را نگه دارید. ولی از طرف دیگر آناندتک بعد از بررسی خود
اعلام کرده هیچ مشکلی از داغ شدن دستگاه مشاهده نکرده است
و این احتمال می‌رود که فقط برخی از دستگاه ها مشکل داشته باشند. نکته
دیگر این است که پرچمدار اچتیسی هنوز عرضه نشده است و شاید مشکلات نرم
افزاری در نسخه اولیه باعث گرم شدن زیاد دستگاه باشد. همچنین عرضه دستگاه
در تایوان با تاخیر روبرو شده است که نشان می‌دهد اچتیسی تا دقیقه 90 روی
نرم افزار و پایداری گوشی وان ام 9 خود کار می کند تا نسخه نهایی مشکلی
نداشته باشد.
و اما موضوع آخری که باید در نظر بگیریم این است که واقعا نگه داشتن
دستگاهی فلزی با دمای 55 درجه بسیار دشوار و حتی آزاردهنده است که باعث می
شود به این تست کمی شک کنیم. با اینکه نمی‌خواهیم این تست را کاملا زیر
سوال ببریم ولی از کمپانی چون اچتیسی بعید است تا این حد بی فکر عمل کند
که بخواهد محصولی با این شرایط را وارد بازار کند. هرچه باشد چندین ماه این
دستگاه تحت فشار زیاد بررسی شده است.
با توجه به اینکه هنوز کمپانی اچتیسی به صورت رسمی نسبت به این موضوع
واکنش نشان نداده است، نظر شما درباره مشکل داغ شدن گوشی One M9 این شرکت
چیست؟