شرکت سامسونگ قصد دارد از حافظهی فوقالعاده سریع MRAM برای استفاده در گوشی هوشمند و اینترنت اشیا پرده برداری کند.
طبق گزارشی که در جولای سال ۲۰۱۶ منتشر شده بود، کمپانی IBM و سامسونگ اقدام به معرفی فرآیندی توسعهیافته برای تولید نوع خاصی از حافظهی رم غیر فرار کردهاند که تا ۱۰۰ هزار برابر سریعتر از حافظهی فلش ناند است. زومیت را همراهی کنید.
این حافظه مقاومت بالایی دارد و فرسوده نمیشود. حافظهی یادشده تحت عنوان MRAM، از فناوری گشتاور انتقال چرخشی (STT) بهره میبرد و برای استفاده در تراشههای حافظهی ظرفیت پایین مرتبط با حسگر اینترنت اشیا، گجتهای پوشیدنی و دستگاههای قابل حملی که در حال حاضر از حافظهی فلش NAND بهره میگیرند، در نظر گرفته شده است. کلمهی MRAM مخفف عبارت «Magnetoresistive Random Access Memory» و به معنی حافظه با دسترسی تصادفی مقاوم مغناطیسی است.
حافظهی گشتاور چرخشی MRAM میتواند بهعنوان نوع جدیدی از حافظه در مواردی که نیازمند انرژی بسیار پایینی است، بهکار برده شود. برای مثال، این نوع از حافظه میتواند در اینترنت اشیا (IoT) یا دستگاههای قابل حمل مورد استفاده قرار بگیرد؛ زیرا در زمان روشن بودن و ذخیرهی اطلاعات، انرژی بسیار پایینی مصرف میکند و به دلیل فرار نبودن، در حالت غیر فعال مصرف انرژی آن به صفر میرسد. همچنین از لحاظ فنی انتظار میرود حافظهی MRAM در گوشی هوشمند و سایر دستگاههای ساخت شرکت اپل در سال ۲۰۱۸ به کار برده شود. در ادامهی مقاله به جزئیات رویداد انجمن کارخانجات سامسونگ که ۳ خرداد (۲۴ می) در ایالات متحده برگزار میشود، خواهیم پرداخت. سامسونگ قصد دارد در این رویداد به معرفی تکنولوژی فرآیند تولید مربوط به eMRAM بپردازد.
موسسهی تجاری LSI، بهعنوان شاخهی تولید تراشه در بخش Device Solution شرکت سامسونگ الکترونیکس، تولید نمونهی اولیهای از تراشهی سیستم روی یک چیپی را که دارای یک حافظهی MRAM داخلی است، به اتمام رسانده و در حال انجام فعالیتهای تجاریسازی مربوط به آن است. تراشهی SOC احتمالا در رویداد ماه آینده رونمایی خواهد شد.
سامسونگ، شرکت NXP را بهعنوان اولین خریدار خود انتخاب کرده است. شرکت NXP و سامسونگ الکترونیکس طی یک قرارداد تجاری مربوط به تولید انبوه تراشهی مبتنی بر لیتوگرافی ۲۸ نانومتری و فناوری تولید FD-SOI به توافق رسیدهاند. فناوری تولید «عایق کاملا خالی پوشیده با سیلیکون» (Fully Depleted Silicon on Insulator) را میتوان رقیب FinFET محسوب کرد. شرکت سامسونگ از سال میلادی جاری تولید انبوه تراشهی مجتمع سیستم روی یک چیپ سری i.MX را تحت فرآیند تولید FD-SOI، برای استفاده در حوزهی اینترنت اشیا آغاز خواهد کرد. با این حال، فعلا از حافظههای فلش در تراشههای یادشده استفاده خواهد شد و طبق شنیدهها، فناوری حافظهی جاسازی شدهی MRAM موسوم به eMRAM شرکت سامسونگ الکترونیکس، برای نسل آیندهی تراشهی سیستم روی یک چیپ و میکرو کنترلر (MCU) به کار گرفته خواهد شد.
حافظهی MRAM در فرآیند تولید FD-SOI استفاده خواهد شد. مشتریان بزرگی چون اپل یا سایر شرکتها میتوانند بین حافظهی فلش و فناوری حافظهی جاسازی شدهی MRAM، یک گزینه را انتخاب کنند. طبق گزارش سامسونگ، هزینهی تولید حافظهی DRAM جاسازی شده ارزانتر از هزینهی تولید حافظهی فلش است.
پیوند توشیبا با حافظهی MRAM
شرکت توشیبا قبل از سال ۲۰۱۲ در حال توسعهی MRAM برای پردازندهی گوشی هوشمند بوده است. به ادعای تحلیلگران، حافظهی MRAM میتواند مصرف انرژی پردازندهی مرکزی گوشی هوشمند را به میزان دوسوم کاهش دهد. کاهش مصرف انرژی الکتریکی در گجتهای قابل حمل، یکی از موارد بسیار مهمی است که شرکتهای سازنده تمرکز فراوانی بر آن داشتهاند. همچنین مبحث حرارت تولیدی دستگاههای قابل حمل و طول عمر شارژدهی آنها، همیشه جزو موارد نگرانکننده برای کاربران نهایی بوده است. حافظهی MRAM استفادهشده بهعنوان حافظهی کش، تقریبا چند مگابایت فضای ذخیرهسازی اطلاعات ارائه خواهد داد. فناوری حافظهی MRAM بهمنظور ساخت حافظههای ذخیرهسازی ظرفیت بالا بهعنوان جایگزینی برای حافظههای فلش و DRAM بهوسیلهی شرکت توشیبا و سایر کمپانیها در حال توسعه است. از پیش از سال ۲۰۱۲، شرکت توشیبا همراه با شرکت اسکی هاینیکس در حال توسعهی MRAM برای استفاده در نسل بعدی محصولات دارای حافظهی ذخیرهسازی هستند.
پیوند توشیبا به حافظهی MRAM در حالی که شرکتهای مختلفی مثل فاکسکان درصدد تصاحب بخش تولید تراشهی آن هستند، بسیار جالب توجه است. حتی احتمال مشارکت اپل هم در این خرید و فروش بسیار بالا است. در اختیار داشتن حافظهی MRAM برای استفاده در نسل بعدی گوشی هوشمند و حق انحصار آن، برای همهی علاقهمندان به تصاحب شرکت توشیبا جذاب و بسیار مهم است. در صورت تصاحب بخش تولید تراشهی شرکت توشیبا بهوسیلهی فاکسکان و اپل، احتمال استفاده از حافظهی MRAM در آیفون سال ۲۰۱۸ و سایر دستگاههای قابل حمل ساخت اپل دور از تصور نخواهد بود.