جزئیات پردازندهی کرین ۹۷۰ کمپانی هواوی فاش شد. این تراشه از نوع ۱۰ نانومتری است و از هستههای کورتکس A73 بهره میبرد.
اولین بار در ماه ژانویه جزئیاتی در مورد نسل بعدی پردازندههای موبایل هواوی موسوم به کرین ۹۷۰ در برخی از منابع خبری منتشر شد. بر همین اساس گفته میشود که این پردازنده ۱۰ نانومتری توسط TSMC تولید خواهد شد و از هشت هستهی پردازشی بهره خواهد برد. از دیگر ویژگیهای این تراشه میتوان به پشتیبانی از شبکههای پرسرعت التیای Cat. 12 اشاره کرد. حال در شبکهی اجتماعی چینی ویبو جزئیات جدیدی در مورد این چیپست منتشر شده است که اطلاعات بیشتری در مورد آن فاش میکند.
بنا به اعلام منبع این خبر، چیپ هایسیلیکون کرین ۹۷۰ در واقع بر پایهی فرآیند ۱۰ نانومتری فینفت TSMC تولید خواهد شد. این در حالی است که در برخی از شایعات قبلی گفته شده بود که کرین ۹۷۰ بر اساس فرآیند ۱۶ نانومتری تولید خواهد شد. علاوه بر این با توجه به جزئیات جدید فاش شده از کرین ۹۷۰، انتظار میرود این تراشه به هستههای کورتکس A73 کمپانی آرم مجهز شود. تعداد هستههای این پردازنده احتمالا هشت عدد خواهد بود. منبع خبر همچنین اعلام کرده است که کرین ۹۷۰ اولین چیپستی خواهد بود که از چیپ گرافیکی Heimdallr کمپانی آرم بهره میبرد. در نهایت باید اشاره کنیم که این پردازنده از تمامی شبکهها و از فرکانس باند جهانی پشتیبانی خواهد کرد.
در یکی دیگر از شایعات گفته شده است کرین ۹۷۰ از هشت هسته بهره خواهد برد که چهار هسته از نوع کورتکس A73 و چهار هستهی دیگر آن از نوع کورتکس A53 است. فرکانس کاری نسل بعدی پردازندهی پرچمدار هواوی بین ۲.۸ گیگاهرتز تا ۳.۰ گیگاهرتز خواهد بود و از باند پایهی التیای Cat. 12 پشتیبانی خواهد کرد. همچنین باید خاطرنشان کنیم کرین ۹۷۰ اولین تراشهی موبایلی هواوی است که از فرآیند ۱۰ نانومتری استفاده میکند. افزون بر آنچه گفته شد، انتظار میرود چیپست یادشده از نظر مصرف انرژی، کنترل دما و دیگر ویژگیها نسبت به نسل کنونی خود بهبود یابد.