دو شرکت توليدکننده سخت افزارهاي رايانه اي با همکاري هم درتلاشند تا با
استفاده از فناوري 19 نانومتري، حافظه هاي فلش جديدي را تا سه ماهه دوم سال
2011 عرضه کنند.
شرکت اينتل در
روزهاي گذشته حافظه هاي فلش "ناند" جديدي را برپايه فناوري 20 نانومتري
معرفي کرد.
اکنون شرکت ژاپني توشيبا با هدف حفظ بازار رقابت با اينتل در همکاري با
شرکت "سن ديسک" قصد دارد حافظه هاي فلش ناند 19 نانومتري را ارائه کند.
اين حافظه هاي فلش ناند که تا پايان سه ماهه دوم 2011 وارد بازار مي
شوند مي توانند ابزاري ايده آل براي ساخت حافظه هاي داخلي دستگاههاي قابل
حملي چون تلفنهاي همراه هوشمند و تبلتها باشند.
در مرحله اول عرضه اين حافظه هاي جديد 19 نانومتري، تنها حافظه هاي فلش
ناند 2 بيتي براي هر پيل ارائه مي شود و از نيمه دوم سال جاري نسخه هاي 3
بيتي براي هر پيل نيز توليد خواهد شد.
براساس گزارش وب نيوز، هر ماژول اين حافظه ها 64 گيگابايت را عرضه مي
کنند و با ترکيب حافظه هاي بيشتر مي توان ظرفيت ذخيره سازي را افزايش داد.
به طوريکه با ترکيب 16 واحد مي توان يک ماژول با حجم 128 گيگابايت را
به دست آورد. درحال حاضر حافظه هاي فلش تبلتها و تلنفهاي همراه هوشمند
حداکثر 32 گيگابايت گنجايش دارند.